| 型号： | SIE836DF-T1-GE3 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Vishay Siliconix | 描述： | MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| SIE836DF-T1-GE3 PDF |  |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 130 毫欧 @ 4.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 104W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK?（SH） |
| 供应商设备封装 | 10-PolarPAK?（SH） |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | SIE836DF-T1-GE3CT |